锻烧温度在600℃～900℃期间，氧化镁的晶粒尺寸逐渐增大，晶格畸变逐渐减小晶形渐趋完整。通过扫描电镜照片可以清楚地看到晶粒由小到大，晶形由不完整到完整的过程。

900℃煅烧时，由于再结晶与烧结受到原料种类及杂质含量的影响，晶粒尺寸及晶格奇变将有明显的差异，所以，900℃锻烧的氧化镁的x射一射线衍射结果比较分散。
800℃～900℃的粉的晶粒尺寸增长极快，与H粉中碳酸钙的含量大有关在煅烧过程中，碳酸钙于750℃～900℃分解生成氧化钙，促进了氧化镁的再结晶与烧结。碘值的测定结果表明，尽管800℃～900℃粉的晶粒尺寸很大，但吸附碘值值却不小，也说明了此时吸附碘值是氧化镁与氧化钙共同作用的结果。
BET法比表面积的测定
当物质表面吸附氮时，所起测量体系中的压力下降，直到吸附平衡为止．测量吸附前后的压力，计算在平衡压力下被吸的气体积（在标准状况下）根据BET等温吸附公式，计算试样单分子层吸附量，从而计算出试样的比表面积。
计算公式为下：
（PN2/PS）/[Vd(1－PN2/PS)]=1/(VM·C)+[(C—1)/Vm·C]]·(PN2/PS)(8)
式中：Vd一平衡时氮吸附量（毫升）
PN2一平衡时的氮分压
PS一液氮饱和蒸气压
Vm一每克吸附剂表面形翅一单分子层吸附量（摩尔／克）
表3D粉的较表面积(M2/g)
试样煅烧温度（℃） 700 800 900
粉 19.67 11.93 11.90

4．吸附碘值法计算比表面积
当测定了活性氧化镁的碘值之后，可以根据碘值计算比表面积。计算方法如下：
已知碘的分子量为253.8克，一个碘分子的横截面积为21.lA0．设吸附碘值为I (m/gs)，、则比表面积按下列步骤求出：
1克试料吸附碘的克分子数＝（I×10－3）/253.8(9)
1克试料吸附碘的分子数=[（I×10－3）/253.8]×6.023×1023（10）
1克试料吸附碘的总面积= （I×10－3×6.023×1023）×21.1×10-20(N)(11)
比表面积=0.51 .(M2/g)(12)
假设碘分子吸附为单分子层吸附，一考虑到碘分子被活性氧化镁颗粒共用的可能性，必须对(12式)进行修正，修企方法是引入修正系数x、x的数值应为1 ≤X≤2
X数值的选择应与镁化镁颗粒的堆积状态有关，为简便起见，本文取x= 1计算比表面积。结果示于表6。
表6依碘值计算的氧化镁粉比表面积(M/g2 )